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品类: 肖特基二极管描述: TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor771610-99¥9.8880100-499¥9.3936500-999¥9.06401000-1999¥9.04752000-4999¥8.98165000-7499¥8.89927500-9999¥8.8333≥10000¥8.8003
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品类: 肖特基二极管描述: VISHAY V8PAL50-M3/I 肖特基整流器, 单, 50 V, 8 A, DO-221BC, 2 引脚, 570 mV32625-24¥2.740525-49¥2.537550-99¥2.3954100-499¥2.3345500-2499¥2.29392500-4999¥2.24325000-9999¥2.2229≥10000¥2.1924
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品类: 肖特基二极管描述: TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor94535-24¥3.064525-49¥2.837550-99¥2.6786100-499¥2.6105500-2499¥2.56512500-4999¥2.50845000-9999¥2.4857≥10000¥2.4516